场截止沟槽型绝缘栅双极性晶体管

Field-Stop Trench IGBT

通过独特的沟槽栅设计,降低晶体管的寄生电容,加快开关速度,降低器件开关时的电磁干扰噪声及开关损耗。利用先进的薄片加工工艺实现独特的场截止型结构设计,进一步降低芯片损耗,提升芯片性能。独特的加工工艺流程设计降低了工艺难度,减少工艺步骤,从而压低生产成本,提升产品的市场竞争力。
产品的首要应用目标为各类硬开关应用,如消费及工业类产品的电机驱动、开关电源等。此外,亦可对晶体管结构设计做出相应改动,使产品亦可应用于电焊切割、感应加热等软开关应用领域。